臺灣積體電路制造股份有限公司（中文簡稱：臺積電，英文簡稱：TSMC）創于1987年，是全球第一家也是全球最大的專業半導體電路制造（晶圓代工Foundry）企業，總部位于臺灣新竹科學園區；2020年8月26日，臺積電南京公司總經理羅鎮球在2020世界半導體大會上表示，臺積電5納米產品已進入量產階段，3納米產品將在2021面世，并于2022年進入大批量生產。接下來，讓我們一起來了解一下世界上最先進半導體企業臺積電晶圓制造的全流程視頻：

點擊看視頻

 晶圓制造工藝流程

1、 表面清洗

2、 初次氧化

3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。（1）常壓 CVD (Normal Pressure CVD) （2）低壓 CVD (Low Pressure CVD) （3）熱 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）電漿增強 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成長 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生長法 (LPE)

4、 涂敷光刻膠 （1）光刻膠的涂敷 （2）預烘 (pre bake) （3）曝光 （4）顯影 （5）后烘 (post bake) （6）腐蝕 (etching) （7）光刻膠的去除

5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除

6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱

7、 去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理

8、 用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱

9、 退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層

10、干法氧化法生成一層 SiO2 層，然后 LPCVD 沉積一層氮化硅

11、利用光刻技術和離子刻蝕技術，保留下柵隔離層上面的氮化硅層

12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區

13、熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。

14、LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進行光刻，以及等離子蝕刻技術，柵極結構，并氧化生成 SiO2 保護層。

15、表面涂敷光阻，去除 P 阱區的光阻，注入砷 (As) 離子，形成 NMOS 的源漏極。用同樣的方法，在 N 阱區，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。

16、利用 PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護元件，并進行退火處理。

17、沉積摻雜硼磷的氧化層 18、濺鍍第一層金屬 （1） 薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。（2） 真空蒸發法（ Evaporation Deposition ） （3） 濺鍍（ Sputtering Deposition ）

19、光刻技術定出 VIA 孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結構。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護層。

20、光刻和離子刻蝕，定出 PAD 位置

21、最后進行退火處理，以保證整個 Chip 的完整和連線的連接性 

晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構裝工序（Packaging）、測試工序（Initial Test and Final Test）等幾個步驟。

其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段（Front End）工序，而構裝工序、測試工序為后段（Back End）工序。

1、晶圓處理工序

本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與制作。

2、晶圓針測工序

經過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規格的產品；但也可根據需要制作幾種不同品種、規格的產品。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。

3、構裝工序

就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。

4、測試工序

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據客戶特殊需求的技術參數，從相近參數規格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數情況定作降級品或廢品 。

奧松電子MEMS智能傳感器芯片生產線介紹

廣州奧松電子有限公司創立于2003年，注冊資本1462萬元，坐落在廣州開發區科學城，是國內領先的應用MEMS半導體工藝技術生產傳感器芯片的高新技術企業，也是廣東省MEMS領域唯一集研發、設計、制造、封裝測試、應用為一體的MEMS智能傳感器全產業鏈（簡稱IDM）企業。公司主營產品有溫濕度傳感器、水蒸氣傳感器、氣體流量傳感器、差壓傳感器、氧氣傳感器、液體流量傳感器、氣體傳感器、風速雨量傳感器等。

奧松電子斥巨資打造MEMS半導體芯片生產線，一期工程凈化車間總面積約2500平方米，配置濕法清洗區、百級潔凈度光刻區、千級潔凈度鍍膜區、千級潔凈度刻蝕區、千級潔凈度離子注入區及參觀通道等。整個潔凈車間安裝了多套高性能風淋系統，對進入潔凈間的員工或者貨物進行徹底風淋除塵。該生產線一期工程于2019年3月立項，2019年6月正式進入施工階段。經過6個月的施工，生產線的基礎設施已安裝完成。2020年，多臺步進式投影光刻機、雙面光刻機、涂膠顯影機、深硅刻蝕機、大束流離子注入機、PECVD、LPCVD、氧化爐、磁控濺射機、探針臺、應力測試儀、全自動RCA清洗機等先進的自動化生產設備搬入，生產線正式投入運營。